プログラム

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1月31日(火)
時間
A 会 場
B 会 場
C 会 場
8:50
開会の挨拶  Mate2012組織委員会委員長 齋藤 重正  (A会場)
9:00
[A-1]3D実装
座長:青柳 昌宏 ((独)産業技術総合研究所)
1.
次世代半導体パッケージの応力シミュレーションの効率化 -六面体要素を用いたパッケージ全体モデリング-
島俊平,木下貴博,川上崇,若松剛(富山県立大学)
松本圭司,小原さゆり,折井靖光,山田文明, 嘉田守弘超(超先端電子技術開発機構)
2.
デジタル画像相関法によるひずみ計測を用いた三次元積層チップの微細接合部のひずみ評価
岡大智,池田徹,宮崎則幸(京都大学)
3.
TSV(Through-Silicon-Via)を含めた3次元積層チップの熱抵抗解析
松本圭司,茨木聡一郎,末岡邦昭,佐久間克幸, 菊地秀和,折井靖光,山田文明 (超先端電子技術開発機構)
4.
3次元シリコンチップ積層構造の熱サイクル試験と微細IMC接合の観察
小原さゆり,堀部晃啓,折井靖光,末岡邦昭, 佐久間克幸,松本圭司,山田文明
(超先端電子技術開発機構),木下貴博,川上 崇 (日本アイ・ビー・エム(株))
5.
次世代3D-SiP用温度階層接続方式に関する研究

佐藤幸博,佐藤了平,岩田剛治,森永英二, 米田聖人(大阪大学),岡 雄一(ソニー(株))
[B-1]ナノマテリアル・ナノプロセシング(1)
座長:守田 俊章((株)日立製作所)
30.
【講演】 スーパーインクジェットと酸素ポンプによる銅配線技術
村田和広((独)産業技術総合研究所),
白川直樹,宮川俊彦((独)産業技術総合研究所), 増田一之((株)SIJテクノロジ)
31.
固液系超音波反応場を用いた金属ナノ粒子材料の合成
林 大和,講武裕焉C瀧澤 洸,山田雄大,樋澤健太, 滝澤博胤(東北大学),井上雅博(大阪大学)
32.
ハイブリッド銀ペーストの開発とその応用
齊藤 寛,寺田信人,上田雅行(筑波研究所)
33.
プリンテッドエレクトロニクスを意図した紫外線硬化型酸化銀系導電ペーストの特性
千葉秀貴,鈴木 篤,齊藤友治,溝尾数雅 ((株)プロセス・ラボ・ミクロン)
[C-1]環境対応材料
座長:松嶋 道也(大阪大学)
59.
経年使用シリコン系太陽電池モジュールの劣化評価
松田景子((株)東レリサーチセンター)
増田 淳,土井卓也((独)産業技術総合研究所)
60.
太陽電池モジュールの高分子部材の構造評価
三橋和成,宮田洋明,的場伸啓,渡邉 猛 ((株)東レリサーチセンター)
61.
太陽電池用バックシートにおける接着剤の開発
内藤真人,西田卓生,水原銀次(リンテック(株))
62.
重合性コレステリック液晶による選択反射膜の高帯化に関する研究
松本 健,柳澤智史,入沢正福((株)ADEKA)
63.
第一原理計算を用いたSnO2系透明電極の電子状態解析に関する研究
米田聖人,佐藤了平,岩田剛治,礒野貴充, 宮川春彦(大阪大学)
10:40
[A-2]拡散・金属間化合物
座長:高尾 尚史((株)豊田中央研究所)
6.
銅の低融点薄膜接合においてインサート層構造が接合部特性に与える影響
宮崎高彰,藤本高志,福本信次,松嶋道也, 藤本公三(大阪大学)
7.
エレクトロマイグレーションテストにおけるCu Pillar バンプの金属間化合物の成長過程
折井靖光,乃万裕一,小原さゆり,岡本圭司, 鳥山和重(日本アイ・ビー・エム(株)),豊嶋大介, 上西啓介(大阪大学)
8.
473KにおけるPd-Cu合金とSnの固相反応拡散による化合物の生成挙動
梶原正憲,橋場将紀(東京工業大学)
9.
板状Ni-Sn金属間化合物の生成状態が熱衝撃Snウィスカの発生状態に与える影響
小川 誠,元木章博,斎藤 彰,岡本 朗,岩永俊之, 岩堀禎浩,増子賢仁,藤原敏伸,齊藤篤子 ((株)村田製作所) 
10.
熱衝撃Snウィスカの成長メカニズムに及ぼす板状のNi-Sn金属間化合物の影響
斎藤 彰,岡本 朗,岩永俊之,岩堀禎浩,小川 誠, 元木章博((株)村田製作所)
[B-2]ナノマテリアル・ナノプロセシング(2)
座長:伊藤 健(神奈川県産業技術センター)
34.
【講演】 高誘電率キャパシタの剥離性基板上への作製と実装技術への応用
一木正聡,小峰えりか,富岡史明,細野智史,須賀唯知,
尾崎紀之,末重良宝(東京大学),伊藤寿浩 (産業技術総合研究所)
35.
低温焼結性銀ナノペーストを用いた接合
栗田哲,遠藤圭一,久枝穣(DOWAエレクトロニクス(株))
36.
酸化銀ペーストを用いた接合において還元溶剤が銅ニッケルおよびアルミニウムの接合性に及ぼす影響
高田慎也,小椋 智,廣瀬明夫(大阪大学),守田俊章, 井出英一((株)日立製作所)
37.
無加圧条件下における銀ナノ粒子の接合特性
長岡 亨,福角真男,柏木行康,山本真理,斉藤大志,
大野敏信,中許昌美((地独)大阪市立工業研究所),
垣内宏之,吉田幸雄(大研化学工業(株))
38.
パワーモジュール向け銀ナノ粒子接合技術の開発
佐々木陽光,平塚大祐,福満昌子,井口知洋,栂嵜 隆 ((株)東芝)
[C-2]レーザー微細加工・接合
座長:松坂 壮太(千葉大学)
64.
【講演】シリコーンの真空紫外レーザ表面改質とその応用
大越昌幸 (防衛大学校),能島義彦,野尻秀智
((株)レニアス),井上成美(防衛大学校)
65.
自己復元性を有する生体インタフェース材料のレーザ表面処理による配線形成
関戸規之,高井 治,安田清和(名古屋大学)
66.
超短パルスレーザを用いたガラスの微細溶接法-溶融領域の評価-
岡本康寛,高橋健太,宮本勇,岡田晃(岡山大学)
ツベチェク クリスチャン,シュミット ミハエル
(バイエルンレーザセンター)
67.
超短光パルスを用いたガラスや異種材料のレーザー接合
小関泰之,伊東一良(大阪大学)
12:50
昼 食 休 憩
14:00
【プレナリーセッション】 A会場 座長:荘司 郁夫(群馬大学)環境エコ社会を支えるエレクトロニクス技術
 1.スマートシティを支えるエネルギー管理システムの動向       河野 克己 (株)日立製作所
 2.普及が進む太陽電池の研究開発動向と将来展望           吉田 隆   富士電機(株)
 3.エレクトレット材料を用いた小型環境振動発電デバイスの開発   正木 達章 オムロン(株)
16:00〜17:30
【ポスターセッション】 会場 フォワイエ(5階)
1.【高電圧放電溶接法によるRe-W系熱電対の作製】   
  ※今野武志,江頭 満,小林幹彦((独)物質・材料研究機構)
2.【微細はんだ接合部における金属間化合物層の成長がエレクトロマイグレーション耐性に及ぼす影響】  
  ※豊嶋大介,上西啓介(大阪大学),折井靖光(日本アイビーエム(株))
3.【u DP3プロセスで形成したCu/Ni/PIフィルム界面の解析】   
  ※馬場昭充,辻本和久,竹川 徹,山田英幸(セーレン(株)),釘宮公一(匠八宇),笹瀬雅人((財)若狭湾エネルギー研究センター)
4.【Sn-Cu-Bi基合金の組織微細化に及ぼす添加元素の影響】   
  ※横田智也,黒川一哉,田中順一(北海道大学)
5.【Sn-Pb共晶はんだ微小試験片の引張特性に及ぼすAu, PdおよびBi添加の影響】   
  ※菊池 遼,荘司郁夫(群馬大学),根本規生(JAXA),中川 剛(日本アビオニクス),海老原伸明(NEC 東芝スペースシステム),岩瀬房雄(HIREC)
6.【フェムト秒レーザ衝撃加工による純鉄の硬化】   
  ※松田朋己,佐野智一,小椋 智,廣瀬明夫(大阪大学),小林紘二郎((財)若狭湾エネルギー研究センター)
7.【樹脂の耐薬品性試験における溶出物・劣化評価】   
  ※松本裕介((株)東レリサーチセンター)
8.【鉛フリーめっき液を用いた無電解Ni/AuおよびNi/Pd/Auめっき電極の接合特性】   
  ※狩野貴宏,荘司郁夫(群馬大学),土田徹勇起,大久保利一(凸版印刷(株))
9.【n型窒化ガリウムへのオーミックコンタクト形成に対する成膜残留歪みの効果】   
  ※児玉拓己,前田将克,高橋康夫(大阪大学)
10.【導電性接着剤の耐イオンマイグレーション性に及ぼす導電フィラーの影響】   
  ※植田城央,西川 宏(大阪大学)
11.【プリント配線基板へのスリット加工付与による大型電子部品はんだ接合部の長寿命化技術開発】 
  ※舟引喜八郎,松嶋道也,福本信次,藤本公三(大阪大学),山下浩儀,出田吾朗,新井等(三菱電機(株))
12.【表面処理鋼板のスポット溶接における長寿命電極の開発】   
  ※向江信悟(日本タングステン(株))
13.【半導体パッケージの接合工程で発生するLow-k層の熱機械的応力におよぼすポリイミド樹脂保護膜の影響】   
  ※坂巻一星,苅谷義治(芝浦工業大学),丹羽基博(旭化成イーマテリアルズ(株))
14.【ベータ-Snマイクロ接合部の疲労信頼性におよぼす結晶方位の影響】   
  ※山田彩織,田嶋 翔,苅谷義治(芝浦工業大学)
15.【ミクロスケールFEM解析によるAg-Epoxy導電性接着剤の力学特性解析】   
  ※福嶋英恵,古澤弘充,森田亮一,苅谷義治(芝浦工業大学)
16.【ウェッジワイヤボンド法における超音波出力制御と荷重制御による接合性の向上】   
  ※濱田賢祐,武内 彰(超音波工業(株))
17.【超微細はんだ接合部の低サイクル疲労寿命および損傷機構】   
  ※紺谷洋之,田代直樹,神田喜彦,苅谷義治(芝浦工業大学)
18.【パワーモジュールにおける超音波接合端子の接合強度と信頼性に関する検討】   
  ※米田 裕,荒谷修三,村井淳一(三菱電機(株)),重 和良(メルコセミコンダクタエンジニアリング(株))
19.【鉛フリーはんだ実装における低温化技術の開発】   
  ※大熊 章(松尾ハンダ(株))
20.【Agナノ粒子を用いた無加圧接合におけるAgの焼結体構造が接合強度に与える影響】   
  ※丹羽恵一,西川宏(大阪大学),寺田信人(ハリマ化成(株))
17:45
懇  親  会 (6階 ベイブリッジカフェテリア)
2月1日(水)
時間
A 会 場
B 会 場
C 会 場
9:00
[A-3]鉛フリーはんだ
座長:坪根 健一郎(富士通(株))
11.
鉛フリーはんだ微小試験片の高速引張特性
當山雄一郎,荘司郁夫(群馬大学)
12.
鉛フリーはんだの寿命予測に対する結晶異方性の定量評価
鈴木智博,辻 彩,瀬戸山大吾,山田 明, 八木雄二,門浦弘明((株)豊田中央研究所) 山中政彦,田中淳二(トヨタ自動車(株))
13.
Sn-3Ag-0.5Cu鉛フリーはんだの組織変化に与える温度とひずみの影響
伊藤宏文,大島 正,高尾尚史((株)豊田中央研究所)
14.
Sn-3.0Ag-0.5Cuはんだ継手の耐衝撃性に及ぼす表面めっきの影響
大藤友也,西川 宏,竹本 正(大阪大学) 松浪卓史(奥野製薬工業(株))
15.
Sn-Cu系鉛フリーはんだによるCuの真空接合部の接合部組織と接合強度
早川真生,荘司郁夫,小山真司(群馬大学) 奈良英明,大友昇,上西正久((株)アタゴ製作所)
[B-3]接合信頼性
座長:西浦 正孝(パナソニック(株))
39.
複合環境下におけるNiめっき付Cuコアはんだボールのエレクトロマイグレーション
藤原伸一,谷江尚史((株)日立製作所)
千綿伸彦,藤吉 優(日立金属(株))
若野基樹((株)NEOMAX鹿児島)
40.
微細はんだ接合部のエレクトロマイグレーション挙動に及ぼすバリア層の影響
酒井 徹,八坂健一,上西啓介(大阪大学) 赤松俊也,今泉延弘,作山誠樹
((株)富士通研究所)
41.
メタルポストを有するペリフェラル型フリップチップの接合信頼性向上の検討
鳥山和重,折井靖光,岡本圭司
(日本アイ・ビー・エム(株))
42.
CuとNiの超音波接合とその接合部の熱的信頼性評価
田中陽,小椋智,佐野智一,廣瀬明夫(大阪大学)
藤原伸一((株)日立製作所)
43.
半導体パッケージにおける密着強度評価へのワイブル応力の適用
松浦永悟,澤田佳奈子,向田秀子,青木秀夫
((株)東芝),南二三吉(大阪大学)
44.
ナノインデンテーション法によるUltra Low-kデバイスのボンド・パッド下部構造の機械的特性の評価
久田隆史,青木豊広(日本アイ・ビー・エム(株))
[C-3]マイクロ接合・加工
座長:甲山 喜代志(ミヤチテクノス(株))
68.
金属ガラスとステンレス鋼のマイクロ抵抗スポット溶接部の微細組織
南 匡彦,福本信次,副田 輝,松嶋道也, 藤本公三(大阪大学),横山嘉彦(東北大学)
69.
シート間抵抗計測による異材マイクロ抵抗スポット溶接における通電路の見積もり
福本信次,副田 輝,南 匡彦,松嶋道也,藤本公三(大阪大学),横山嘉彦(東北大学)
70.
Ni-Bi合金を用いた短時間気密封止技術の開発
木村裕二,堀口広貴,勝部彰夫,高見和憲, 弘田実保((株)村田製作所)
71.
誘電体フォトニック結晶のマイクロ光造形とテラヘルツ波デバイスへの応用
桐原聡秀,田崎智子(大阪大学)
72.
マイクロプラズマ溶接に関する研究
朴ミンゴン,平田好則(大阪大学)
73.
点接触部における通電による温度分布変化
若林一貴,高橋邦夫(東京工業大学)
11:00
休 憩
11:10
[A-4]低温実装
座長:宍戸 逸朗(京セラSLCテクノロジー(株))
16.
【講演】 第三元素添加Sn-Bi共晶はんだの信頼性
作山誠樹,赤松俊也,岡本圭史郎
((株)富士通研究所),上西啓介(大阪大学)
17.
はんだバンプ衝撃試験によるSn-BiはんだとCuとの接合信頼性評価
山本晃将,西川 宏(大阪大学)
18.
Sn/Ni接合界面強度に及ぼすBi,Inフィラーの適用効果
伊坂俊宏,小山真司(群馬大学)
19.
Sn-Biはんだ粒子−シリコーン混合系による自己形成マイクロバンプの形態解析
雨森則人,高井 治,安田清和(名古屋大学)
[B-4]パワーデバイス・パワーモジュール
座長:三治 真佐樹 ( (株)デンソー)
45.
【講演】 車載パワーモジュールの設計課題と高耐熱実装の熱疲労信頼性評価技術
山際正憲(日産自動車(株)) 
46.
パワー素子のダイボンディングにおけるボイド低減
藤野純司,江草稔,村井淳一,加柴良裕
(三菱電機(株)),福本信次,藤本公三(大阪大学)
47.
高パワー密度電力変換器用実装基板の熱変形評価
*佐藤 弘,仲川 博, 劉 小軍,郎 豊群, 山口 浩(産業技術総合研究所)
48.
パワーデバイスの疲労寿命評価技術
篠原主勲((独)宇宙航空研究開発機構),
于  強(横浜国立大学),
唐澤志郎((財)神奈川科学技術アカデミー)
[C-4]基板・パッケージ
座長:八甫谷 明彦((株)東芝)
74.
【講演】 プリント配線板の歴史を振り返る/ 歴史から学ぶ将来展望
雀部俊樹       
75.
UV硬化性シリコーン材料を用いた光導波路の作製とその特性
石川佳寛,末吉 孝,大塚孝洋((株)ADEKA)
76.
高耐熱・超低CTEポリイミドフィルムの実装基板への応用
土屋俊之,前田郷司(東洋紡績(株)),
塚田 裕(アイパックス)
77.
WLCSPはんだ接合部の熱疲労寿命に及ぼす基板材質の影響
北郷慎也,荘司郁夫(群馬大学),
宮崎 誠,渡辺 潤,初澤健次(長野沖電気(株))
12:50
昼 食 休 憩
13:50
[A-5]高温鉛フリー
座長:高岡 英清((株)村田製作所)    
20.
小型高出力SiCパワモジュールの高温鉛フリーはんだ接合信頼性
谷本 智,松井康平,図子祐輔,佐藤伸二, 村上善則,山田朋幸
  (次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構)
21.
Bi-Zn系高温用Pbフリーはんだの開発
井関隆士,高森雅人(住友金属鉱山(株))
22.
Zn系高温用Pbフリーはんだの開発
井関隆士,高森雅人,末繁由隆,石川和幸 (住友金属鉱山(株))
23.
鉛フリーはんだの強度特性と半田接合部の耐熱疲労性に関する研究
上島 稔(千住金属工業(株))
24.
実装材料へのAgフィラー含有シリコンゴムの適用
西岡智志,福本信次,松嶋道也,藤本公三 (大阪大学)
[B-5]MEMS(1)
座長:水野 潤(早稲田大学)
49.
【講演】 圧電薄膜を用いたMEMSデバイス開発
神野伊策(神戸大学)
50.
小型圧電振動発電モジュールの開発
小川純矢,山内規裕,後藤浩嗣,松嶋朝明, 相澤浩一(パナソニック電工(株)), 神野伊策(神戸大学),小寺秀俊(京都大学)
51.
サーモパイル型8x8画素赤外線アレイセンサ
中村雄志,山中 浩,吉田岳司,辻幸司,萩原洋介,
熊原 稔,桐原昌男(パナソニック電工(株))
52.
バイパス構造により脈動影響を低減させたMEMSフローセンサ
福本昌滋(オムロン(株))
[C-5]樹脂実装
座長:関 善仁((株)フジクラ)
78.
【講演】 有機/金属コンパウンドの科学 
〜導電性接着剤を例として〜
井上雅博(大阪大学)
79.
非接触表面形状測定計による液状熱硬化性樹脂の化学収縮率測定
豊田 慶,櫻井大輔,後川和也(パナソニック(株))
80.
金属フィラー含有熱硬化性樹脂シートの材料特性と接合性
井上宗,松嶋道也,福本信次,藤本公三 (大阪大学)
81.
ポリマー製部品から薬液への微量金属およびイオン性成分の溶出試験
畑 和貴,二村 実,坂口晃一,飯田 豊
((株)東レリサーチセンター)
15:30
Coffee Break
15:50
[A-6]ソルダペースト・実装プロセス
座長:石塚 直美(日本電気(株))
25.
ソルダペーストのぬれ性改善に向けた銅表面のクエン酸による改質作用
青木由希也,小山真司(群馬大学)
26.
微量元素添加による耐熱疲労特性向上低銀(Ag)鉛フリーソルダペーストの開発
朴 錦玉,今村陽司,隈元聖史(ハリマ化成(株)),
竹本 正(大阪大学)
27.
ソルダーペーストを用いた新規はんだバンプ形成方法
高橋政典,鍵 憲語,飯田 温((株)クオルテック)
28.
BGA接合不良と実装プロセスに関する研究
林田 達,上島 稔(千住金属工業(株))
29.
高密度実装対応リワークにおける加熱技術の開発
増山卓己,江本 哲,岡田 徹,小林 弘
(富士通アドバンストテクノロジ(株))
[B-6]MEMS(2)
座長:佐名川 佳治 (パナソニック電工(株))
53.
ハニカム絶縁構造を用いた低寄生容量SOIの提案と応用
宮川宜和,神田健介,藤田孝之,前中一介 (兵庫県立大学)横松得滋,竹内 悠(JST)
54.
陽極接合できるLTCC基板を用いたMEMSのウェハレベル気密封止:ウェットエッチングによる多孔質金バンプの形成と封止性能の評価
福士秀幸,江刺正喜,田中秀治(東北大学),
毛利 護,岡田厚志,中村大輔(ニッコー(株))
55.
MEMS実装におけるAuSi共晶ウエハレベル接合技術の開発
王偉女冊,林育菁,江刺正喜(東北大学),
Mario Baum,Marco Haubold,Joerg Froemel,
Maik Wiemer,Thomas Gessner(フラウンフォーファーENAS)
56.
MEMS金属プローブとAl電極との微小荷重における接触現象
上西啓介,松本卓也,佐藤武彦(大阪大学),
石田友弘(日本電子材料(株))
57.
各種MEMSスイッチ接点材料薄膜の繰り返し低荷重接触特性と寿命 
富田恭平,中谷忠司(大阪大学),勝木隆史
((株)富士通研究所)
58.
MEMSデバイス強度の圧力式評価系構築
森原大輔,中尾太一(オムロン(株))
[C-6]電極材料・表面処理
座長:出田 吾朗(三菱電機(株))
82.
SnCu-Auフリップチップの接合における界面への真空紫外光およびギ酸を用いたフラックスレス接合技術の基礎検討
宇波奈保子,庄子習一,水野 潤(早稲田大学),
乃万裕一(日本アイ・ビー・エム((株))),
重藤暁津((独)物質・材料研究機構)
83.
配線基板端子表面処理によるはんだ接合での耐落下衝撃信頼性
堀川雄平,藤田 慎,吉田健一,佐藤 淳 ,阿部寿之
(TDK(株))
84.
Cuワイヤボンディング用無電解Ni/Pd/Auめっき技術
江尻芳則,櫻井健久,黒川博,鈴木邦司,坪松良明
畠山修一,有家茂晴,廣山幸久,長谷川 清
(日立化成工業(株))
荒山貴慎(日立化成テクノサービス(株))
85.
無電解ニッケル金めっき仕様と銀合金ワイヤのボンディング性について
大村英一,山口浩二,久保田哲郎,左成亨介 (オムロン(株))
86.
密着層の転写を用いた絶縁膜上の無電解めっき形成技術
佐々木伸也,谷 元昭((株)富士通研究所)
87.
溶射法によるセラミック膜の静電吸着力評価
竹内純一,山崎 良,谷 和美(トーカロ(株)), 高橋康夫(大阪大学)
17:50
表彰式  (A会場)
18:00
閉会の挨拶  Mate2012組織委員会副委員長 藤本 公三  (A会場)